Полупроводници CHINA - страница 5

FS10KM12A

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 40
• Корпус: TO220F

DTC114TS

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 50
• Ток (A): 0.1
• Мощност (W): 0.5
• Корпус: DTC

BAS16 SOT23

Диод за микровълнова печка CL01-12

ST8812FX

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 1150
• Ток (A): 7
• Мощност (W): 50
• Корпус: SOT399

Светодиод 30W бял

LA78141

2SD1153

• Тип: NPN DARL
• Напрежение (V): 80
• Ток (A): 1.5
• Мощност (W): 0.9
• Корпус: TO92L

2SB1151

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 5
• Мощност (W): 20
• Корпус: TO126

LC863324A 5T51

Ценеров диод 20V/1.3W

IRFP264

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 250
• Ток (A): 38
• Мощност (W): 280
• Корпус: TO247

NCP1203D60R2 SMD

STK403-240A

7420

7412

KSD5287

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 1500
• Ток (A): 5
• Мощност (W): 50
• Корпус: SOT399

OZ9938

Оптичен датчик ABT100 бариера

2SK2700

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 900
• Ток (A): 3
• Мощност (W): 40
• Корпус: TO220F

ICE3DS01L

К531ЛИ1

КР531ЛП5