Полупроводници CHINA - страница 3

SI9407BDY-E3

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): -60
• Ток (A): -4
• Мощност (W): 5
• Корпус: SO8

BC546 SMD SOT89

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 64
• Ток (A): 0.1
• Мощност (W): 0.5
• Корпус: SOT89

LM3478MM/NOPB

CPC1303GR

P2504BDG

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 40
• Ток (A): 12
• Мощност (W): 41
• Корпус: TO252

MMBT3906LT1G

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 40
• Ток (A): 0.2
• Мощност (W): 0.3
• Корпус: SOT23

ISD1730SY

OZ9966SN

PN8106

D42-70-06

117

• Тип: PNP
• Напрежение (V): -
• Ток (A): -
• Мощност (W): -
• Корпус: TO220

FD300

SY400/10

BD515

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 45
• Ток (A): 2
• Мощност (W): 10
• Корпус: TO202

2N698

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 120
• Ток (A): 0.5
• Мощност (W): 0.8
• Корпус: TO39

2N696

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 0.5
• Мощност (W): 0.6
• Корпус: TO39

BD517

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 2
• Мощност (W): 10
• Корпус: TO202

2N699

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 120
• Ток (A): 0.5
• Мощност (W): 0.6
• Корпус: TO39

STV9302B TO220-7

LT1054CN8

ATMLU204

MAX3243EIPW

BCR191WH6327

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 50
• Ток (A): 0.1
• Мощност (W): 0.25
• Корпус: SOT323