Полупроводници CHINA - страница 12

VNP35N07

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 70
• Ток (A): 35
• Мощност (W): 125
• Корпус: TO220

MJ15204

25VF020B-80SAE

TNY264G

FSFR1800

LD7750RGR SO8

Светодиоден индикатор KW1-4003ASA

AS6C1008-55PCN

KSC5030

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 1100
• Ток (A): 6
• Мощност (W): 100
• Корпус: TO3P

DS1307Z+TR

BTW69-1200RG

LM2575T-12

TDA1517P DIP18

BU941P to218

• Тип: NPN DARL+D
• Напрежение (V): 500
• Ток (A): 15
• Мощност (W): 175
• Корпус: TO218

TA7614AP DIP16

2SC4234

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 1200
• Ток (A): 3
• Мощност (W): 45
• Корпус: ITO220

4043 DIP16

2SA1659

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 160
• Ток (A): 1.5
• Мощност (W): 20
• Корпус: TO220F

PT2272-L4

TA7217AP

2SC2653

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 350
• Ток (A): 0.2
• Мощност (W): 15
• Корпус: TO220

4049 SMD

BF256B

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 30
• Ток (A): 0.013
• Мощност (W): 0.3
• Корпус: TO92