Полупроводници CHINA - страница 12

IRF7319PBF SO8 SMD

• Тип: N+P MOSFET
• Напрежение (V): 30/-30
• Ток (A): 6.5/-4.9
• Мощност (W): 2
• Корпус: SO8

ST62T20CB6

FAN4803CP2

SGP07N120

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 1200
• Ток (A): 16
• Мощност (W): 125
• Корпус: TO220

MCP42100-E/P

LTV356T

ATMEGA8A-AU

LM2596S-5.0 SMD

Светодиод SMD 3528 жълт 400mcd

TLP3526

IRGP4066D-EPBF

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 140
• Мощност (W): 454
• Корпус: TO247

VNP35N07

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 70
• Ток (A): 35
• Мощност (W): 125
• Корпус: TO220

VND600SP-E

MJ15204

25VF020B-80SAE

TNY264G

FSFR1800

SG3525AP SO16

Светодиоден индикатор KW1-4003ASA

AS6C1008-55PCN

2SC3320 TO3P

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 500
• Ток (A): 15
• Мощност (W): 80
• Корпус: TO3P

Ценеров диод 4.7V/5W

KSC5030

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 1100
• Ток (A): 6
• Мощност (W): 100
• Корпус: TO3P