ON SEMICONDUKTOR - страница 3

NCP1606B SO8

MMBTA06LT1G

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 80
• Ток (A): 0.5
• Мощност (W): 0.35
• Корпус: SOT23

SMBTA56E6327

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 80
• Ток (A): 0.5
• Мощност (W): 0.33
• Корпус: SOT23

MOC3083M

74HC14 SO14

7918 TO220

MMBT2222ALT1G

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 40
• Ток (A): 0.6
• Мощност (W): 0.225
• Корпус: SOT23

2N5886G

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 80
• Ток (A): 25
• Мощност (W): 200
• Корпус: TO3

7805CD SMD

UC3842BNG

BDV64BG

• Тип: PNP DARL
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 125
• Корпус: TO247

FQA24N60

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 23.5
• Мощност (W): 310
• Корпус: SOT93

MC33064P-5G

UC3843BNG

Ценеров диод 4.7V/5W

Оптичен датчик QRD1114

UC3843BD1G

J112 TO92

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 35
• Ток (A): 0.005
• Мощност (W): 0.35
• Корпус: TO92

MOC3062M DIP6

P6KE350A DO15

MMBT2907ALT1G SMD

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 0.6
• Мощност (W): 0.225
• Корпус: SOT23

UC3844BD1G SOIC8

LM2931AZ-5 TO92