ON SEMICONDUKTOR - страница 2

BCP53-16T1G

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 80
• Ток (A): 1.5
• Мощност (W): 1.5
• Корпус: SOT223

TIP41CG

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 6
• Мощност (W): 65
• Корпус: TO220

FQP11N40C

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 400
• Ток (A): 6.6
• Мощност (W): 135
• Корпус: TO220

BDX53CG

• Тип: NPN DARL
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 8
• Мощност (W): 65
• Корпус: TO220

HGTG12N60C3D TO247

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 12
• Мощност (W): 104
• Корпус: TO247

TIP147

• Тип: PNP DARL+D
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 125
• Корпус: TO247

FDD8447L SMD

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 40
• Ток (A): 50
• Мощност (W): 44
• Корпус: DPAK

TIP122G

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 5
• Мощност (W): 65
• Корпус: TO220

FOD817C300W

TIP142TTU TO220

• Тип: NPN DARL+D
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 80
• Корпус: TO220

FODM3052-NF098

1N4937G

ES1D

NTD4858NT4G

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 25
• Ток (A): 73
• Мощност (W): 54.5
• Корпус: TO252

MC74HC589ADR2G

D44H11G

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 80
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 70
• Корпус: TO220

MBR1645G

LM317 SMD D2PAK

MJE15032

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 250
• Ток (A): 8
• Мощност (W): 50
• Корпус: TO220

MJL3281AG

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 260
• Ток (A): 15
• Мощност (W): 200
• Корпус: TO264

MBR0520L

NCP1606B SO8

MMBTA06LT1G

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 80
• Ток (A): 0.5
• Мощност (W): 0.35
• Корпус: SOT23