ON SEMICONDUKTOR

MC34152DG

MJD127G

MC33074DR2G

FAN7602BMX

HUF75639S3ST SMD

• Тип: N-MOSFET
• Напрежение (V): 55
• Ток (A): 94
• Мощност (W): 140
• Корпус: D2PAK

BYW29-200G

FQT7N10LTF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 1.36
• Мощност (W): 2
• Корпус: SOT223

MJE15033G

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 250
• Ток (A): 8
• Мощност (W): 50
• Корпус: TO220

HGTP12N60C3D

• Тип: IGBT-N
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 12
• Мощност (W): 167
• Корпус: TO220

D44VH10

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 15
• Мощност (W): 83
• Корпус: TO220

FDS6982AS SO8

• Тип: N-MOSFET DUAL
• Напрежение (V): 30
• Ток (A): 8.6
• Мощност (W): 2
• Корпус: SO8

TIP33CG

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 140
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 80
• Корпус: TO247

TIP41CG

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 6
• Мощност (W): 65
• Корпус: TO220

BDX53CG

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 8
• Мощност (W): 65
• Корпус: TO220

FDD8447L SMD

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 40
• Ток (A): 50
• Мощност (W): 44
• Корпус: DPAK

TIP122G

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 5
• Мощност (W): 65
• Корпус: TO220

FOD817C300W

TIP142TTU TO220

• Тип: NPN DARL+D
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 80
• Корпус: TO220

FODM3052-NF098

1N4937G

ES1D

NTD4858NT4G

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 25
• Ток (A): 73
• Мощност (W): 54.5
• Корпус: TO252

MC74HC589ADR2G