Полупроводници VISHAY

IRF740BPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 400
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 125
• Корпус: TO220

TCRT5000

CNY75A

SI4800B SO8 SMD

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 30
• Ток (A): 7
• Мощност (W): 2.5
• Корпус: SO8

SMCJ78A-E3/57T SMD

VS-20ETS08-M3

IRFBG30PBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 1000
• Ток (A): 2
• Мощност (W): 125
• Корпус: TO220

CNY64A

SI2302DDS-T1-GE3

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 20
• Ток (A): 2.1
• Мощност (W): 0.46
• Корпус: SOT23

BYG20J-E3/TR

SSC3S111A

IRFSL11N50APBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 500
• Ток (A): 7
• Мощност (W): 190
• Корпус: I2PAK

VOT8024AM-VT

VS-40TPS12-M3

• Обратно напрежение (V): 1200
• Tok в права посока (А): 35
• Ток на гейта (A): 0.15
• Корпус: TO247

VS-30TPS08-M3

• Обратно напрежение (V): 800
• Tok в права посока (А): 20
• Ток на гейта (A): 0.045
• Корпус: TO247

IRLD110PBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 0.7
• Мощност (W): 1.3
• Корпус: DIP4

1.5KE27CA-E3/54

IRFD9120PBF DIP4

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): -100
• Ток (A): -0.7
• Мощност (W): 1.3
• Корпус: DIP4

BYV27/600 SOD57

BYV27/200 SOD57

SI7716ADN-T1-GE3

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 30
• Ток (A): 16
• Мощност (W): 27.7
• Корпус: PowerPAK-1212-8

SI4925DDY-T1-GE3

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): -30
• Ток (A): -8
• Мощност (W): 5
• Корпус: SO8

IRFP460LCPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 500
• Ток (A): 12
• Мощност (W): 280
• Корпус: TO247AC