Полупроводници VISHAY - страница 2

BYV27/200 SOD57

SI7716ADN-T1-GE3

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 30
• Ток (A): 16
• Мощност (W): 27.7
• Корпус: PowerPAK-1212-8

SI4925DDY-T1-GE3

• Тип: P-FET DUAL
• Напрежение (V): -30
• Ток (A): -8
• Мощност (W): 5
• Корпус: SO8

IRFP460LCPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 500
• Ток (A): 12
• Мощност (W): 280
• Корпус: TO247AC

IRFD110PBF DIP4

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 0.7
• Мощност (W): 1.3
• Корпус: DIP4

MBR1660-E3/45

IRFP150MPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 42
• Мощност (W): 160
• Корпус: TO247

1.5KE130A

IRF520PBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 70
• Корпус: TO220

Ценеров диод 5.1V/0.5W SMD

IRFP448PBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 500
• Ток (A): 11
• Мощност (W): 180
• Корпус: TO247

SS14-E3/61T

BYV26C

IRF9540PBF

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): -100
• Ток (A): -19
• Мощност (W): 150
• Корпус: TO220

GP02-40

MBR3060PT-E3/45

SI9945BDY

• Тип: N-FET DUAL
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 3.4
• Мощност (W): 3.1
• Корпус: SO8

Светодиод IR-053 инфрачервен

Фотодиод BPV10NF

IRF740APBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 400
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 125
• Корпус: TO220

9435B

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): -30
• Ток (A): -5.7
• Мощност (W): 2.5
• Корпус: SO8

IRFP32N50KPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 500
• Ток (A): 20
• Мощност (W): 460
• Корпус: TO247

IRFI9634GPBF TO220F

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): -250
• Ток (A): -4.1
• Мощност (W): 35
• Корпус: TO220F