Полупроводници INFINEON TECHNOLOGIES - страница 6

IRF640NPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 200
• Ток (A): 18
• Мощност (W): 150
• Корпус: TO220

IRFZ44NPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 50
• Мощност (W): 150
• Корпус: TO220AB

IRF540N

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 33
• Мощност (W): 140
• Корпус: TO220AB

IR21531 DIP8

IGT60R190D1SATMA1

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 12.5
• Мощност (W): 55.5
• Корпус: PG-HSOF-8-30

IGO60R070D1AUMA1

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 31
• Мощност (W): 125
• Корпус: PS-DSO-20

ICE2QS03G

IPC70N04S5L4R2

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 40
• Ток (A): 70
• Мощност (W): 50
• Корпус: PG-TDSON-8

IRG4PF50WPBF

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 900
• Ток (A): 28
• Мощност (W): 200
• Корпус: TO247

BST76A ТО92

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 1.17
• Корпус: SOT223

BST76A ТО92

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 180
• Ток (A): 0.3
• Мощност (W): 1
• Корпус: TO92

AUIRF1010ZS SMD

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 55
• Ток (A): 94
• Мощност (W): 140
• Корпус: D2PAK

IRF1010NSPBF SMD

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 55
• Ток (A): 60
• Мощност (W): 180
• Корпус: D2PAK

BTS432E2E3062A

FDS5670

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 2.5
• Корпус: SO8

IRF2804LPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 40
• Ток (A): 280
• Мощност (W): 330
• Корпус: TO262

IPP50R380CEXKSA1

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 500
• Ток (A): 9.9
• Мощност (W): 73
• Корпус: TO220

IKP20N60H3

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 40
• Мощност (W): 170
• Корпус: TO220

SPA11N80C3

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 800
• Ток (A): 11
• Мощност (W): 34
• Корпус: TO220F

IRG4BC40W-STRRP

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 40
• Мощност (W): 160
• Корпус: D2PAK

IRGS6B60KDPBF

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 13
• Мощност (W): 90
• Корпус: D2PAK

BTS5210G

IRF1404SPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 40
• Ток (A): 162
• Мощност (W): 200
• Корпус: D2PAK