WeEn Semiconductors

BTA416Y-800B

BT145-800R.127

• Обратно напрежение (V): 800
• Tok в права посока (А): 16
• Ток на гейта (A): 0.005
• Корпус: TO220

BTA204S-600B.118

BYV32EB-200.118

ACT108W-600E.135

• Обратно напрежение (V): 600
• Tok в права посока (А): 0.8
• Ток на гейта (A): -
• Корпус: SOT223

WG40N65DFWQ

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 650
• Ток (A): 40
• Мощност (W): 125
• Корпус: TO247

BYC8-1200PQ

ACTT4S-800E.118

BTA16-800BQ

BYV410X-600.127

ACTT2S-800E.118

• Обратно напрежение (V): 800
• Tok в права посока (А): 2
• Ток на гейта (A): 0.01
• Корпус: DPAK

BT136X-800 TO220F

BT258-600R

• Обратно напрежение (V): 600
• Tok в права посока (А): 5
• Ток на гейта (A): 0.0005
• Корпус: TO220

BT137-800E

BT139X-800F

DST40100C

BTA225B-800B.118 SMD

BTA316-800B.127

BT152-800R

• Обратно напрежение (V): 800
• Tok в права посока (А): 20
• Ток на гейта (A): 0.003
• Корпус: TO220

BT139-800G

BT139-800E

Z0107MA

BT139X-600F