Полупроводници - страница 29

BDX53CG

• Тип: NPN DARL
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 8
• Мощност (W): 65
• Корпус: TO220

IRLD110PBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 0.7
• Мощност (W): 1.3
• Корпус: DIP4

1.5KE27CA-E3/54

4N33M

SBX3040

IRFD9120PBF DIP4

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): -100
• Ток (A): -0.7
• Мощност (W): 1.3
• Корпус: DIP4

PDTA124ET.215

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 50
• Ток (A): 0.1
• Мощност (W): 0.25
• Корпус: SOT23

SPP11N80C3

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 800
• Ток (A): 11
• Мощност (W): 156
• Корпус: TO220

HGTG12N60C3D TO247

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 12
• Мощност (W): 104
• Корпус: TO247

1.5KE33CA

AO3400A

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 30
• Ток (A): 4.7
• Мощност (W): 1.4
• Корпус: SOT23

Светодиод SMD 7020 БЯЛ 7000k

PIC16F505-I/SL

CS5343-CZZ

AT28C64B-15JU PLCC32

MAC16NG

4056 DIP16

BT258-600R

• Обратно напрежение (V): 600
• Tok в права посока (А): 5
• Ток на гейта (A): 0.0005
• Корпус: TO220

Светодиод 5mm бял 33000mcd

Светодиод 10mm жълт 220mcd

LMC6034IM/NOPB

ULN2003D1013TR SO16

Фоторезистор PGM5539