Полупроводници - страница 26

HER208

GP1S094HCZ0F

HT46R47

STB80NF55L-06T4 SMD

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 55
• Ток (A): 80
• Мощност (W): 300
• Корпус: D2PAK

BC807-16.215

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 45
• Ток (A): 0.5
• Мощност (W): 0.25
• Корпус: SOT23

S35VB100-YAN

MJ15003 MBO

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 140
• Ток (A): 20
• Мощност (W): 250
• Корпус: TO3

MJ15004 NSC

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 140
• Ток (A): 20
• Мощност (W): 250
• Корпус: TO3

LNK626PG

TL7705ACD

AT27C512R-45PU OTP

Цокъл 24P-3 DIP24

VN2460N3-G

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 0.25
• Мощност (W): 1
• Корпус: TO92

1.5KE22A

IRFSL11N50APBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 500
• Ток (A): 7
• Мощност (W): 190
• Корпус: I2PAK

Светодиод 8mm бял 4000mcd

MBR20100FCT

Светодиод IR 3.4W инфрачервен

T835-600B-TR DPAK

MOC3063S-TA1

MBRD835LT4G SMD

Фоторезистор PGM5506

STP80NF10FP

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 27
• Мощност (W): 45
• Корпус: TO220F