Полупроводници - страница 12

STGW30NC60KD

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 28
• Мощност (W): 200
• Корпус: TO247

BYV410X-600.127

ACTT2S-800E.118

• Обратно напрежение (V): 800
• Tok в права посока (А): 2
• Ток на гейта (A): 0.01
• Корпус: DPAK

TPIC6C595DG4 SMD

MJ15025G

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 400
• Ток (A): 16
• Мощност (W): 250
• Корпус: TO3

LM2575T-5G TO220-5

LM2575HVT-ADJ/LF03

LGE2305-LGE

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): -20
• Ток (A): -4.1
• Мощност (W): 1.7
• Корпус: SOT23

PIC18F43K22-E/PT

2SC3116

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 160
• Ток (A): 0.7
• Мощност (W): 1
• Корпус: TO126

2SA1304

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 150
• Ток (A): 1.5
• Мощност (W): 20
• Корпус: TO220F

2SC2910

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 160
• Ток (A): 0.07
• Мощност (W): 0.9
• Корпус: TO92L

Ценеров диод 30V/0.5W

MJD31CG

• Тип: NPN
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 3
• Мощност (W): 15
• Корпус: DPAK

DIT150N03-DIO

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 30
• Ток (A): 105
• Мощност (W): 130
• Корпус: TO220

CD74HC165M SMD

M24C08-WMN6TP SO8 SMD

IRLU3636PBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 99
• Мощност (W): 143
• Корпус: IPAK

AOI296A TO251A

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 100
• Ток (A): 45
• Мощност (W): 35
• Корпус: TO251A

STP55NF06L

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 39
• Мощност (W): 95
• Корпус: TO220

MMBFJ310LT1G SMD

• Тип: N-JFET
• Напрежение (V): 25
• Ток (A): 0.01
• Мощност (W): 0.225
• Корпус: SOT123

LM2901DR SMD

LM1875T/LF01 TO220-5