INFINEON TECHNOLOGIES - страница 2

BCR562E6327

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 50
• Ток (A): 0.5
• Мощност (W): 0.33
• Корпус: SOT23

IR2104PBF

IRFB3607PBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 75
• Ток (A): 80
• Мощност (W): 140
• Корпус: TO220

IRF9389TRPBF

• Тип: N+P FET DUAL
• Напрежение (V): 30/-30
• Ток (A): 6.8/-4.6
• Мощност (W): 2
• Корпус: SO8

IRF7306PBF SO8 SMD

• Тип: P-FET DUAL
• Напрежение (V): -30
• Ток (A): -3.6
• Мощност (W): 2
• Корпус: SO8

IRF3205STRLPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 55
• Ток (A): 110
• Мощност (W): 200
• Корпус: D2PAK

BCR555E6327

• Тип: PNP
• Напрежение (V): 50
• Ток (A): 0.5
• Мощност (W): 0.33
• Корпус: SOT23

BSC084P03NS3GATMA1

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): -30
• Ток (A): -78.6
• Мощност (W): 69
• Корпус: PG-TDSON-8

ICE3B2065

ICE3B0365J

IPA65R650CEXKSA1

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 650
• Ток (A): 7
• Мощност (W): 28
• Корпус: TO220F

IPD050N03LGATMA1

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 30
• Ток (A): 50
• Мощност (W): 68
• Корпус: DPAK

IGB10N60T

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 600
• Ток (A): 10
• Мощност (W): 110
• Корпус: D2PAK

IHW30N135R5XKSA1

• Тип: IGBT
• Напрежение (V): 1350
• Ток (A): 30
• Мощност (W): 165
• Корпус: TO247

IRFB52N15DPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 150
• Ток (A): 60
• Мощност (W): 320
• Корпус: TO220

IRFIB41N15DPBF

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 150
• Ток (A): 41
• Мощност (W): 200
• Корпус: TO220F

IPAN70R600P7S

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 700
• Ток (A): 8.5
• Мощност (W): 24.9
• Корпус: TO220F

IR1153SPBF

SPP11N80C3

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 800
• Ток (A): 11
• Мощност (W): 156
• Корпус: TO220

BSP170PH6327XTSA1

• Тип: P-FET
• Напрежение (V): -60
• Ток (A): -1.9
• Мощност (W): 1.8
• Корпус: SOT223

BSP320SH6327XTSA1

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 60
• Ток (A): 2.9
• Мощност (W): 1.8
• Корпус: SOT223

IPP048N12N3GXKSA1

• Тип: N-FET
• Напрежение (V): 120
• Ток (A): 120
• Мощност (W): 300
• Корпус: TO220

IR2113SPBF SO16-W SMD